WEK-WS674 M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架

產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2026-05-08

簡(jiǎn)要描述：WEK-WS674加速器M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架，WEK-WS674 M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架主要輔助測(cè)試加速器機(jī)頭下患者平面M區(qū)內(nèi)外的泄漏等輻射劑量，支架根據(jù)WS674的方法在不同位置的孔內(nèi)放射熱釋光劑量片來(lái)測(cè)量泄漏輻射劑量應(yīng)在體模中測(cè)量，體模各邊比照射野至少大 5 cm；體模的深度至少比測(cè)量深度大 5 cm，入射表面垂直于參考軸，放置在正常治療距離。

產(chǎn)品詳情

品牌	為爾康	產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)

WEK-WS674加速器M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架，WEK-WS674 M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架詳細(xì)介紹：

WEK-WS674加速器M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架，WEK-WS674 M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架主要輔助測(cè)試加速器機(jī)頭下患者平面M區(qū)內(nèi)外的泄漏等輻射劑量，支架根據(jù)WS674的方法在不同位置的孔內(nèi)放射熱釋光劑量片來(lái)測(cè)量泄漏輻射劑量應(yīng)在體模中測(cè)量，體模各邊比照射野至少大 5 cm；體模的深度至少比測(cè)量深度大 5 cm，入射表面垂直于參考軸，放置在正常治療距離。

在zui 大照射野下，給出的電子能量分別測(cè)量雜散 X 射線占總吸收劑量的劑量比。

WEK-WS674加速器M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架設(shè)計(jì)基于X 射線平均泄漏輻射的 24 個(gè)測(cè)量點(diǎn)分布示意圖

WEK-WS674加速器M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架，WEK-WS674 M區(qū)內(nèi)外測(cè)量支架配置清單：

名稱(chēng)	數(shù)量	規(guī)格和用途
探測(cè)器盤(pán)放置劑量片孔	41個(gè)	41個(gè)劑量片放置孔布置在圓盤(pán)不同位置上
鋁管放置劑量片孔	32個(gè)
鋁管1	8件	10×10mm，長(zhǎng)1448mm；鋁管1，3，5，7，9，11，13，15編號(hào)與圓盤(pán)對(duì)應(yīng)編號(hào)連接在一起
鋁管2	8件	10×10mm，長(zhǎng)965mm；鋁管2，4，6，8，10，12，14，16編號(hào)與圓盤(pán)對(duì)應(yīng)編號(hào)連接在一起
定位銷(xiāo)鑼絲	16	M6鑼絲用來(lái)固定鋁管與器盤(pán)連續(xù)
探測(cè)器托盤(pán)	1件	用于放置探測(cè)元件
安裝說(shuō)明書(shū)	1份	/

測(cè)試方法：
X 射線照射時(shí)相對(duì)表面劑量檢測(cè)方法

應(yīng)在體模中測(cè)量，體模各邊比照射野至少大 5 cm；體模的深度至少比測(cè)量深度大 5 cm，入射表面垂直于參考軸，探測(cè)器放置在正常治療距離。
應(yīng)從輻射束中移開(kāi)所有不用工具就可取下的輻射束形成裝置，所有均整過(guò)濾器應(yīng)留在其規(guī)定位置上，在zui 大照射野下，對(duì)表 2 中給出的電子能量分別測(cè)量相對(duì)表面劑量。

透過(guò)限束裝置的泄漏輻射檢測(cè)方法
X 射線穿過(guò)限束裝置
測(cè)量條件如下：

用至少 2 個(gè)十分之一值層的 X 射線吸收材料將射線出線口wan 全屏蔽。對(duì)非重疊式限束裝置，應(yīng)在最小照射野尺寸下測(cè)量；
zui 大泄漏輻射處用輻射探測(cè)器測(cè)量，輻射探測(cè)器的橫截面應(yīng)≤1 cm2；
應(yīng)在體模中zui 大吸收劑量深度處測(cè)量。
泄漏輻射測(cè)量按如下方法進(jìn)行：

將矩形照射野對(duì)稱(chēng)地設(shè)定成zui 大（X 方向）乘最小（Y 方向）；
用輻射探測(cè)器測(cè)量 24 個(gè)點(diǎn)，確定其平均值，求出相對(duì)于zui 大吸收劑量的百分比值；
再對(duì)稱(chēng)地設(shè)定最小（X 方向）乘zui 大（Y 方向）照射野，重復(fù) A.3.1.2 b）的檢測(cè)；
對(duì)所有的 X 射線能量，重復(fù)上述測(cè)量。
如果有一個(gè)多元限束裝置，則打開(kāi)可調(diào)節(jié)或可互換的限束裝置，以產(chǎn)生一個(gè)面積約為 300 cm2（約 18 cm×18 cm）的正方形照射野。把多元限束裝置關(guān)閉到與該照射野協(xié)調(diào)一致的最小值，用輻射探測(cè)器測(cè)量多元限束裝置屏蔽的區(qū)域。
電子線穿過(guò)限束裝置
測(cè)量條件如下：
用 10 mm 與組織等效的材料作為建成模擬構(gòu)成，對(duì)所有尺寸的電子束限束器/限束系統(tǒng)，在對(duì) 應(yīng)的zui 大和最小能量下，基于型式試驗(yàn)中規(guī)定的電子能量所測(cè)數(shù)據(jù)的最不利組合下，在正常治療距離處做射線攝影；
在幾何照射周邊外 2 cm 處的線和 M 區(qū)域邊界之間區(qū)域中定出zui 大吸收劑量點(diǎn)的位置；
用一橫截面不大于 1 cm2 的輻射探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量，探頭對(duì)于從輻射探測(cè)器下面的物質(zhì)散射的輻射要有足夠的防護(hù)。

按如下方法進(jìn)行測(cè)量：

在 M區(qū) 中，沿八條分割線，以 2 cm 的間隔，從幾何照射野周邊外 5 cm 的點(diǎn)到 M 邊界內(nèi)，用輻射探測(cè)器測(cè)量；
對(duì)每個(gè)電子束限束器/限束系統(tǒng)，確定輻射探測(cè)器讀數(shù)的平均值對(duì)應(yīng)參考軸上正常治療距離處 zui 大吸收劑量的百分比值。

M 區(qū)域外的泄漏輻射測(cè)量（中子除外）
測(cè)量條件如下：

基于型式實(shí)驗(yàn)結(jié)果，在給出zui 大泄漏輻射的組合條件下；
在所有的 X 射線能量和在zui 高的電子線能量下，確定zui 大泄漏輻射的點(diǎn)，在這些點(diǎn)上用輻射探測(cè)器測(cè)量。

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